IT之家 · 智能时代 · 10/14/2026, 17:34:06

SK Hynix Predicts 20x Growth in AI Infrastructure Performance by 2030, Proposing HBF and 3D DRAM Storage Optimization

By IT之家Original title: SK 海力士预测:到 2030 年,AI 基础设施性能规模将增长约 20 倍
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Executive Summary

SK Hynix predicts a 20x growth in AI infrastructure performance scale by 2030, identifying data migration caused by expanding KV Cache as a major bottleneck. The company proposes optimizing the global storage hierarchy through High Bandwidth Flash (HBF) and 3D stacked DRAM, targeting HBF bandwidth at 50% of same-generation HBM with 10x capacity increase.

SOURCE COVERAGEFull Original Report

安炫指出,当前 AI 推理市场正同时在三个维度快速扩张:任务复杂度的提升、单次处理信息量(上下文长度)的激增,以及推理请求量的井喷。这些因素相互交织,推动了 AI 算力基础设施需求的迅猛增长。

随着 AI 推理需求的暴增,承担海量数据存储与迁移任务的存储器,其关键地位愈发凸显。特别是用于保存并复用前序处理信息的“键值缓存(KV Cache)”容量持续膨胀,迫使系统必须将数据分摊存储于高带宽内存 HBM、DRAM 以及 SSD 等不同介质中。分析表明,在此过程中产生的数据迁移,正演变为制约性能提升并推高系统能耗的全新瓶颈。

对此,安炫作出了这一预测,即人工智能基础设施的性能规模到 2030 年将增长约 20 倍。

安炫强调,行业不能仅停留在提升单一存储芯片的性能上,而亟需采取优化整个存储层次结构的全局方案。

为此,SK 海力士在持续优化现有 HBM 性能的同时,正全力推进 3D 堆叠 DRAM 以及高带宽闪存 HBF 等下一代存储技术的研发:

  • 3D 堆叠 DRAM:通过在 GPU、NPU 等逻辑芯片之上直接堆叠 DRAM,在大幅跃升传输性能的同时显著降低能耗。
  • 高带宽闪存 HBF:将成熟应用于 HBM 的硅通孔立体堆叠与高速 I/O 接口技术导入 NAND 闪存,旨在 HBM 与 DRAM 之间开辟全新的存储层级。

IT之家从报道获悉,SK 海力士的目标是将 HBF 的带宽做到同代 HBM 的 50% 左右,同时实现约 10 倍的容量扩容。