IT之家 · IT业界 · 10/22/2026, 09:45:27
Micron Previews Vertical Stacked HBM and Edge Inference Memory for 2028
Micron announced plans to introduce two new 3D-stacked memory products, vHBM and vEIM, alongside standard HBM5 in 2028. vHBM vertically stacks DRAM, Base Die, and XPU logic to enhance bandwidth efficiency and reduce power consumption, while vEIM targets edge AI inference with a goal of 2TB/s bandwidth and sub-1pj/bit energy efficiency.
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10 月 22 日消息，Micron（美光）当地时间昨日举行了 2026 年度技术网络研讨会，对 DRAM、泛 HBM、NAND 与 SSD 进行了展望，本篇聚焦于堆叠集成的泛 HBM 内存产品。
美光预计在标准 HBM5 面世的 2028 年还有两种新型 3DS 内存也将到来，分别是 vHBM 和 vEIM。
vHBM 可理解为 3D 集成版本的 HBM，垂直堆叠 DRAM Die、Base Die 和 XPU 逻辑主芯片，这能进一步缩短数据通信路径，提升带宽效率并降低能耗。vHBM 也能与标准 2.5D HBM 共存。
而 vEIM 在结构上与 vHBM 类似，但其设计瞄准的是端侧 AI 推理场景，初代产品目标实现 2TB/s 带宽和＜1pj / bit 的能效。
▲ HBM 先进封装
为实现 vHBM 和 vEIM，美光计划应用无凸块的混合键合技术，导入集成散热解决方案。
