IT之家 · IT业界 · 2026/10/22 09:45:27
美光预告 2028 年推出垂直堆叠 HBM 与边缘推理内存
出处作者 / 发布主体：IT之家
68AI 研判分
核心综述
美光在技术研讨会上披露，预计于 2028 年随 HBM5 一同推出 vHBM 和 vEIM 两款新型 3D 集成内存。vHBM 通过垂直堆叠 DRAM、Base Die 和 XPU 逻辑芯片以缩短通信路径并提升能效；vEIM 则专为端侧 AI 推理设计，目标带宽达 2TB/s 且能效低于 1pj/bit。
报道全文原始报道全文
10 月 22 日消息，Micron（美光）当地时间昨日举行了 2026 年度技术网络研讨会，对 DRAM、泛 HBM、NAND 与 SSD 进行了展望，本篇聚焦于堆叠集成的泛 HBM 内存产品。
美光预计在标准 HBM5 面世的 2028 年还有两种新型 3DS 内存也将到来，分别是 vHBM 和 vEIM。
vHBM 可理解为 3D 集成版本的 HBM，垂直堆叠 DRAM Die、Base Die 和 XPU 逻辑主芯片，这能进一步缩短数据通信路径，提升带宽效率并降低能耗。vHBM 也能与标准 2.5D HBM 共存。
而 vEIM 在结构上与 vHBM 类似，但其设计瞄准的是端侧 AI 推理场景，初代产品目标实现 2TB/s 带宽和＜1pj / bit 的能效。
▲ HBM 先进封装
为实现 vHBM 和 vEIM，美光计划应用无凸块的混合键合技术，导入集成散热解决方案。
