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美光预告 2028 年推出垂直堆叠 HBM 与边缘推理内存
原标题：美光预计 2028 年带来计算芯片垂直堆叠 HBM 与边缘推理 vEIM
- 美光计划 2028 年推出 vHBM（垂直堆叠 HBM）和 vEIM（边缘推理内存）。
- vHBM 将 DRAM、Base Die 和 XPU 逻辑主芯片垂直堆叠，旨在缩短数据路径并降低能耗。
- vEIM 专攻端侧 AI 推理，初代目标为 2TB/s 带宽和 <1pj/bit 能效，采用无凸块混合键合技术。
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AI 聚合热点事件 · 2026/10/22
美光预告 2028 年推出垂直堆叠 HBM 与边缘推理内存
1 篇收录报道1 家独立信源交叉印证持续跟踪至 2026/10/22 09:45:27
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1 家信源交叉印证美光在技术研讨会上披露，预计于 2028 年随 HBM5 一同推出 vHBM 和 vEIM 两款新型 3D 集成内存。vHBM 通过垂直堆叠 DRAM、Base Die 和 XPU 逻辑芯片以缩短通信路径并提升能效；vEIM 则专为端侧 AI 推理设计，目标带宽达 2TB/s 且能效低于 1pj/bit。
最新动向/美光在技术研讨会上披露，预计于 2028 年随 HBM5 一同推出 vHBM 和 vEIM 两款新型 3D 集成内存。vHBM 通过垂直堆叠 DRAM、Base Die 和 XPU 逻辑芯片以缩短通信路径并提升能效；vEIM 则专为端侧 AI 推理设计，目标带宽达 2TB/s 且能效低于 1pj/bit。
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