IT之家 · 智能时代 · 10/12/2026, 13:54:37
Samsung Develops zNAND-T and zNAND-I Flash: Optimizing Throughput and Random IOPS for AI Workloads
Samsung is developing two new NAND flash products, zNAND-T and zNAND-I, specifically optimized for AI workloads to address bandwidth bottlenecks in large model inference. zNAND-T utilizes TSV stacking to enhance data center read/write throughput, while zNAND-I focuses on optimizing random performance for frequent small-data operations, particularly suitable for KV Cache offloading. This shift indicates that NAND flash is evolving from general-purpose products to high-performance custom solutions tailored for specific AI tasks.
SOURCE COVERAGEFull Original Report
10 月 12 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道称，三星电子正在开发多款针对人工智能负载优化的 NAND 闪存产品，除此前已公布的 zNAND-O 外还有 zNAND-T 与 zNAND-I。
报道指出，zNAND-T 的 "T" 代表 "Throughput"（吞吐量）。其类似于闪迪和 SK 海力士提出的 HBF 概念，为数据中心 AI 半导体的需求优化读写带宽表现，采用 TSV 堆叠 NAND Die。
而 zNAND-I 的 "I" 则是象征随机性能的 IOPS 的简写，强调少量数据频繁读写操作中的表现，KV Cache 卸载就属于此类场景。
▲ zNAND-O 结构示意
三种 zNAND 各有专长，针对不同的应用负载，代表着 NAND 闪存正从通用型产品转向定制化。