三星开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存：分别优化 AI 吞吐量与 KV Cache 随机读写性能

出处作者 / 发布主体：IT之家

68AI 研判分

核心综述

三星电子正在开发两款针对 AI 负载优化的 NAND 闪存新品 zNAND-T 和 zNAND-I，旨在通过定制化存储架构解决大模型推理中的带宽瓶颈。zNAND-T 采用 TSV 堆叠技术提升数据中心级读写吞吐量，而 zNAND-I 则专注于优化小数据频繁读写的随机性能，特别适用于 KV Cache 卸载场景。这标志着 NAND 闪存正从通用型产品向面向特定 AI 任务的高性能定制方向演进。

报道全文原始报道全文

10 月 12 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道称，三星电子正在开发多款针对人工智能负载优化的 NAND 闪存产品，除此前已公布的 zNAND-O 外还有 zNAND-T 与 zNAND-I。

报道指出，zNAND-T 的 "T" 代表 "Throughput"（吞吐量）。其类似于闪迪和 SK 海力士提出的 HBF 概念，为数据中心 AI 半导体的需求优化读写带宽表现，采用 TSV 堆叠 NAND Die。

而 zNAND-I 的 "I" 则是象征随机性能的 IOPS 的简写，强调少量数据频繁读写操作中的表现，KV Cache 卸载就属于此类场景。

消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能

▲ zNAND-O 结构示意

三种 zNAND 各有专长，针对不同的应用负载，代表着 NAND 闪存正从通用型产品转向定制化。