三星开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存：分别优化 AI 吞吐量与 KV Cache 随机读写性能

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三星电子正在开发两款针对 AI 负载优化的 NAND 闪存新品 zNAND-T 和 zNAND-I，旨在通过定制化存储架构解决大模型推理中的带宽瓶颈。zNAND-T 采用 TSV 堆叠技术提升数据中心级读写吞吐量，而 zNAND-I 则专注于优化小数据频繁读写的随机性能，特别适用于 KV Cache 卸载场景。这标志着 NAND 闪存正从通用型产品向面向特定 AI 任务的高性能定制方向演进。

最新动向/三星电子正在开发两款针对 AI 负载优化的 NAND 闪存新品 zNAND-T 和 zNAND-I，旨在通过定制化存储架构解决大模型推理中的带宽瓶颈。zNAND-T 采用 TSV 堆叠技术提升数据中心级读写吞吐量，而 zNAND-I 则专注于优化小数据频繁读写的随机性能，特别适用于 KV Cache 卸载场景。这标志着 NAND 闪存正从通用型产品向面向特定 AI 任务的高性能定制方向演进。

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IT之家 · 智能时代T2·10月12日 13:5468 分
三星开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存：分别优化 AI 吞吐量与 KV Cache 随机读写性能
原标题：消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能
- 三星推出 zNAND-T 和 zNAND-I 两款新闪存，分别针对 AI 负载的吞吐量和随机性能进行优化。
- zNAND-T 采用 TSV 堆叠 NAND Die 技术，类似 HBF 概念，旨在提升数据中心 AI 半导体的读写带宽。
- zNAND-I 强调少量数据频繁读写的表现，主要应用场景为 KV Cache 卸载，反映存储定制化趋势。
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