IT之家 · IT业界 · 2026/10/9 10:29:49
ASML 与蔡司解析 Hyper NA EUV：聚焦景深挑战，支持 5nm 半间距分辨率
出处作者 / 发布主体：IT之家
68AI 研判分
核心综述
ASML 与蔡司联合发文指出，数值孔径≥0.75 的 Hyper NA EUV 光刻机有望实现 5nm“半间距”光学分辨率，预计十年内面世。其核心瓶颈在于极低的可用景深，需配合更薄光刻胶及高精度聚焦控制；但相比 0.85NA，0.75NA 方案在设备体积、洁净室兼容性及掩膜复用上更具工程可行性。
报道全文原始报道全文
10 月 9 日消息，ASML（阿斯麦）与其光学系统合作伙伴 ZEISS（蔡司）在一份 10 月 1 日发布的文章中表示，数值孔径≥0.75 的 Hyper NA EUV 光刻机有望支持 5nm“半间距”的光学分辨率，并在 10 年左右面世。
▲ 现有 High NA EUV 光刻机
文章分析称，延续 13.5nm 波长并提升数值孔径至 0.75 是 High NA EUV 的合理演进。Hyper NA EUV 的技术挑战主要集中在更低的可用景深上，这需要更薄的光刻胶，同时改进扫描设备的聚焦控制、晶圆平整、工艺控制。
0.75 NA 的光学系统仅会略大于现有的 High NA EUV 设备，拥有良好的洁净室和设备兼容性。而扩展至 0.85NA 会导致系统体积大幅增长，反而降低吸引力。通过光学和机械上的改进，配套掩膜基础无需重大改动即可在 Hyper NA EUV 上复用；光源系统预计也能实现复用。
参考