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三星改用台积电 3nm 工艺为英伟达生产 HBM 基底裸片
原标题：三星将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产下一代 HBM 基底裸片
- 英伟达推动 NVHBM 基底裸片统一采用台积电 3nm 工艺，核心裸片统一用 1c DRAM，旨在消除供应商差异并简化验证流程。
- 三星首次放弃为英伟达定制 HBM 的一站式全包生产模式，转而依赖外部晶圆代工，标志着高端存储芯片制造分工的重构。
- 三星仍对标准 HBM 和 AMD 客户保持自产策略，并正在验证自有产线生产 NVHBM 的可能性，以防台积电产能不足。