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SK 海力士发布 3D FeNAND 存内计算:利用铁电极化实现模拟 MAC,突破 AI 数据搬运瓶颈
原标题:SK 海力士推出 3D FeNAND 技术,瞄准 AI 计算
- SK 海力士推出 3D FeNAND 技术,结合模拟存内计算(A-CiM)以减少数据搬运开销。
- 核心机制是利用铁电材料极化状态存储数据,区别于传统 NAND 的电荷俘获结构。
- FeNAND 单单元可产生多种电流状态,天然适配 AI 模型中的权重数据存储与计算。
AI 聚合热点事件 · 2026/10/15
SK 海力士公布基于 3D FeNAND 的模拟存内计算(A-CiM)研究成果,旨在通过直接在存储器中执行乘积累加运算来减少数据搬运并提升能效。该技术利用铁电材料的极化状态存储数据,相比传统电荷俘获结构,能在单个单元产生多种电流状态以适配 AI 权重需求。相关论文已发表于 IEEE,标志着非易失性存储向近存/存内计算架构演进的重要一步。
曲线只比较全程持续完整观测的同一批信源;缺口小时数据已插值平滑,保持趋势连续。
原标题:SK 海力士推出 3D FeNAND 技术,瞄准 AI 计算