IT之家 · IT业界T2·78 分
美光放弃 4F² DRAM 转向 3D 架构并引入 High NA EUV
原标题：美光认为 4F² DRAM 内存无可行扩展路径，1ε 用晶圆键合、 ζÅ 用 High NA EUV
- 美光判定 4F² DRAM 无规模化前景，确立 3D DRAM 为后续主要发展路径。
- 1ε 节点引入晶圆键合，ζÅ 节点导入 High NA EUV，推动制程向亚 10nm 迈进。
- DRAM 中的 CMOS 逻辑电路也将实现 3D 化，以优化整体性能与密度。
返回热点榜
compute热度 11.2°
AI 聚合热点事件 · 2026/10/22
美光放弃 4F² DRAM 转向 3D 架构并引入 High NA EUV
1 篇收录报道1 家独立信源交叉印证持续跟踪至 2026/10/22 09:31:36
全景综述与最新动态
1 家信源交叉印证美光在技术研讨会上宣布，因成本与复杂度问题，4F² DRAM 缺乏可行扩展路径，未来将全面转向 3D DRAM。其第 8 代节点（1ε）将引入晶圆键合技术，而首代亚 10nm 节点（ζÅ）则计划采用 High NA EUV 光刻，旨在通过 CMOS 逻辑电路 3D 化实现显著性能提升。
最新动向/美光在技术研讨会上宣布，因成本与复杂度问题，4F² DRAM 缺乏可行扩展路径，未来将全面转向 3D DRAM。其第 8 代节点（1ε）将引入晶圆键合技术，而首代亚 10nm 节点（ζÅ）则计划采用 High NA EUV 光刻，旨在通过 CMOS 逻辑电路 3D 化实现显著性能提升。
热度曲线逐小时热度走势
3 个完整观测小时当前
11.2
峰值
11.910:00
近 24h 变化
–
曲线只比较全程持续完整观测的同一批信源；缺口小时数据已插值平滑，保持趋势连续。