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AI 聚簇研判事件 · 2026/10/7

三星 HBM4E 内存通过英伟达验证：12Hi 堆叠实现 16% 能效提升

Samsung HBM4E Passes NVIDIA Validation with 16% Efficiency Gain

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据韩媒报道，三星电子 12 层堆叠 HBM4E 内存已于 9 月末通过英伟达及主要云厂商的质量验证测试。该产品采用 1c nm DRAM 与 4nm Logic Die 组合，单堆栈容量 48GB，支持 14-16Gbps 引脚速率，宣称实现 16% 能效提升和 14% 热阻改进，但供货合同细节尚未敲定且官方未予确认。

最新动向/据韩媒报道，三星电子 12 层堆叠 HBM4E 内存已于 9 月末通过英伟达及主要云厂商的质量验证测试。该产品采用 1c nm DRAM 与 4nm Logic Die 组合，单堆栈容量 48GB，支持 14-16Gbps 引脚速率，宣称实现 16% 能效提升和 14% 热阻改进，但供货合同细节尚未敲定且官方未予确认。

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  1. IT之家 · IT业界T2·68 分

    三星 HBM4E 内存通过英伟达验证：12Hi 堆叠实现 16% 能效提升

    原文标题：传三星电子 12Hi HBM4E 内存已通过英伟达等主要客户质量验证测试

    • 三星 12Hi HBM4E 内存已通过英伟达等主要客户的质量验证测试（QVT）。
    • 技术规格包括 1c nm DRAM + 4nm Logic Die，单堆栈 48GB，引脚速率 14-16Gbps。
    • 相比前代或竞品，宣称实现 16% 能效提升和 14% 热阻改进。
    • 目前处于“传”闻阶段，三星官方回应“无法确认”，且具体供货量与合同规模未定。