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美光预告 G11 NAND：超 400 层堆叠，2027 年量产
原标题：美光预告 G11 NAND：超 400 层堆叠，双倍密度，2027H2 产能爬坡
- G11 NAND堆叠超400层，面积密度较276层产品翻倍，I/O速率提升1.5倍，能耗降低25%以上。
- 美光跳过G10世代，计划2027年下半年开始产能爬坡。
- 推出两款AI-class数据中心NAND：基于SLC的GPU直连IOPS优化型，以及类似HBF定义的带宽优化型。
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AI 聚合热点事件 · 2026/10/22
美光预告 G11 NAND：超 400 层堆叠，2027 年量产
1 篇收录报道1 家独立信源交叉印证持续跟踪至 2026/10/22 10:05:30
全景综述与最新动态
1 家信源交叉印证美光在技术研讨会上预告了预计于2027年下半年产能爬坡的G11 NAND闪存。该芯片采用晶圆对晶圆键合技术，堆叠超过400层，存储密度约为现有276层产品的两倍，并针对AI数据中心推出了SLC直连GPU和带宽优化两类专用设计。
最新动向/美光在技术研讨会上预告了预计于2027年下半年产能爬坡的G11 NAND闪存。该芯片采用晶圆对晶圆键合技术，堆叠超过400层，存储密度约为现有276层产品的两倍，并针对AI数据中心推出了SLC直连GPU和带宽优化两类专用设计。
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