MemSilicon 流片首款 1T4R 架构 1Gb RRAM 芯片：突破高密度存算瓶颈，兼容 CMOS 工艺

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MemSilicon 宣布完成基于 1TnR 技术路线的首代高密度大容量 RRAM 芯片“泰山一号”流片。该芯片采用 28nm CMOS 工艺与 1T4R 单元结构，实现单芯片 1Gb 容量、30Mb/mm² 密度及小于 20ns 访问延时，通过多单元共享晶体管显著提升存储密度并降低成本。目前芯片正推进验证，旨在为具身智能、AI PC 等端侧推理场景提供高能效的嵌入式非易失存储解决方案。

最新动向/MemSilicon 宣布完成基于 1TnR 技术路线的首代高密度大容量 RRAM 芯片“泰山一号”流片。该芯片采用 28nm CMOS 工艺与 1T4R 单元结构，实现单芯片 1Gb 容量、30Mb/mm² 密度及小于 20ns 访问延时，通过多单元共享晶体管显著提升存储密度并降低成本。目前芯片正推进验证，旨在为具身智能、AI PC 等端侧推理场景提供高能效的嵌入式非易失存储解决方案。

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MemSilicon 流片首款 1T4R 架构 1Gb RRAM 芯片：突破高密度存算瓶颈，兼容 CMOS 工艺
原标题：MemSilicon完成国际首款高密度、大容量1T4R 1Gb RRAM芯片流片
- “泰山一号”是全球首款基于 1T4R 结构的 1Gb 高密度 RRAM 芯片，实现了密度、容量与成本的协同突破。
- 采用 28nm CMOS 标准工艺兼容的后道集成方式，无需改变现有晶圆厂主流产线即可量产。
- 针对高性能 SoC、具身智能和 AI PC 等场景，提供低延迟（<20ns）、高集成的嵌入式非易失存储方案。
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