英飞凌造出全球首个 300mm 碳化硅功率器件晶圆

英飞凌在奥地利 Villach 晶圆厂利用现有硅基产线设备，首次将 300mm 碳化硅晶圆加工为可工作的功率半导体器件，成为全球首家在全尺寸晶圆厂实现该突破的企业。这一进展验证了大尺寸 SiC 的商业化可行性，为车规、可再生能源、工业及 AI 数据中心等场景的碳化硅大规模稳定供应奠定了工艺基础。

技术细节方面，英飞凌同时推进 200mm SiC 路线图，并在德累斯顿工厂验证了 12 英寸 SiC 冷分片工艺，该工艺可提升晶锭利用率并减少加工损耗。首批成品晶圆将于 11 月 10 日起在慕尼黑 electronica 展公开展出。公司表示，12 英寸 SiC 仍处于验证阶段，量产时机将与客户和合作伙伴共同规划。

行业影响上，更大尺寸晶圆有望显著提升单片产出、降低碳化硅器件单位成本，从而加速 SiC 在电动汽车、光伏逆变器、工业电源及 AI 数据中心供电等领域的渗透。英飞凌利用现有硅基设备完成突破，也意味着其可在不进行大规模产线改造的前提下快速推进大尺寸 SiC 商业化，进一步巩固其在功率半导体市场的领先地位。