IT之家 · IT业界T2·68 分
长鑫科技完成 4F² DRAM 工程样片验证
原标题：长鑫科技：基于 4F² 架构的第六代技术平台 DRAM 完成工程样片验证
- 第六代工艺平台（基于 4F² 架构）完成工程样片验证，预计年底送样首代 DDR5 RDIMM。
- 采用逻辑晶圆与存储晶圆键合堆叠及自研 VSG 晶体管，提升存储密度并支持后续微缩。
- 第五代平台已量产 LPDDR5X/LPDDR6，晶圆产出较上一代提升至少 50%。
返回热点榜
compute热度 10.8°
AI 聚合热点事件 · 2026/10/31
长鑫科技完成 4F² DRAM 工程样片验证
1 篇收录报道1 家独立信源交叉印证持续跟踪至 2026/10/31 20:26:18
全景综述与最新动态
1 家信源交叉印证长鑫科技宣布其基于 4F² 垂直沟道架构的第六代 DRAM 技术平台已完成工程样片验证，并计划年底送样首代 DDR5 RDIMM 产品。该平台通过逻辑与存储晶圆键合及自研 VSG 晶体管技术，显著提升存储密度并打通微缩路径，旨在优先满足服务器等高密度需求场景。
最新动向/长鑫科技宣布其基于 4F² 垂直沟道架构的第六代 DRAM 技术平台已完成工程样片验证，并计划年底送样首代 DDR5 RDIMM 产品。该平台通过逻辑与存储晶圆键合及自研 VSG 晶体管技术，显著提升存储密度并打通微缩路径，旨在优先满足服务器等高密度需求场景。
逐小时热度走势
3 个完整观测小时当前
10.8
峰值
11.323:00
近 24h 变化
–
曲线只比较全程持续完整观测的同一批信源；缺口小时数据已插值平滑，保持趋势连续。