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AI 聚合热点事件 · 2026/10/22

三星西安工厂升级至 286 层 NAND 面临出口管制不确定性

1 篇收录报道1 家独立信源交叉印证持续跟踪至 2026/10/22 13:55:12
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1 家信源交叉印证

三星正将占其全球 NAND 产量约 40% 的西安工厂从 200 层芯片升级为 286 层 V9 芯片，目标在 2027 年底实现月产 4 万片晶圆。尽管三星称此举符合美国出口规则且未增加产能，但美国商务部此前仅批准维持运营而非技术升级，SK 海力士也在推进类似的高层数 NAND 研发与生产，双方均处于监管灰色地带。

最新动向/三星正将占其全球 NAND 产量约 40% 的西安工厂从 200 层芯片升级为 286 层 V9 芯片，目标在 2027 年底实现月产 4 万片晶圆。尽管三星称此举符合美国出口规则且未增加产能，但美国商务部此前仅批准维持运营而非技术升级，SK 海力士也在推进类似的高层数 NAND 研发与生产，双方均处于监管灰色地带。

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共 1 篇 · 最新优先
  1. Rohan Paul (@rohanpaul_ai)T2·68 分

    三星西安工厂升级至 286 层 NAND 面临出口管制不确定性

    原标题：Samsung is converting its Xian plant, which produces about 40% of its global NAND, from roughly 200-...

    • 三星西安工厂启动“Monami”项目，计划将 NAND 层数从 200 层提升至 286 层（V9）。
    • SK 海力士大连工厂获准生产最高 240 层 NAND，并寻求在美国许可下进行 300+ 层研发。
    • 美国商务部立场模糊：仅批准维持现有运营，未明确允许产能扩张或重大技术升级。
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