300 毫米晶圆

英飞凌在奥地利 Villach 晶圆厂利用现有硅基产线设备，首次将 300mm 碳化硅晶圆加工为功率半导体器件，验证了大尺寸 SiC 的商业化可行性。公司同时推进 200mm SiC 路线图，并在德累斯顿工厂验证了 12 英寸 SiC 冷分片工艺，以降低晶锭到晶圆的加工损耗。

英飞凌在奥地利菲拉赫工厂利用现有硅产线设备，首次在 300 毫米碳化硅晶圆上制成可工作的功率器件，成为首家在全尺寸晶圆厂实现该突破的企业。该进展为车规、可再生能源、工业及 AI 数据中心等场景的碳化硅大规模稳定供应奠定工艺基础，首批成品晶圆将于 11 月 10 日起在慕尼黑 electronica 展公开展出。