IT之家 · IT业界T2·算力与基建
78 分
英飞凌在奥地利 Villach 晶圆厂利用现有硅基产线设备,首次将 300mm 碳化硅晶圆加工为功率半导体器件,验证了大尺寸 SiC 的商业化可行性。公司同时推进 200mm SiC 路线图,并在德累斯顿工厂验证了 12 英寸 SiC 冷分片工艺,以降低晶锭到晶圆的加工损耗。
Cold Split
通过低温剥离将晶锭分离为晶圆的工艺,可减少材料损耗并提升出片效率
英飞凌在奥地利 Villach 晶圆厂利用现有硅基产线设备,首次将 300mm 碳化硅晶圆加工为功率半导体器件,验证了大尺寸 SiC 的商业化可行性。公司同时推进 200mm SiC 路线图,并在德累斯顿工厂验证了 12 英寸 SiC 冷分片工艺,以降低晶锭到晶圆的加工损耗。